ग्राफीनमध्ये षटकोनी जाळीमध्ये व्यवस्थित केलेल्या कार्बन अणूंचा एक थर असतो.ही सामग्री अतिशय लवचिक आहे आणि त्यात उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म आहेत, ज्यामुळे ते अनेक अनुप्रयोगांसाठी-विशेषतः इलेक्ट्रॉनिक घटकांसाठी आकर्षक बनते.
स्विस इन्स्टिट्यूट ऑफ नॅनोसायन्स आणि बासेल विद्यापीठाच्या भौतिकशास्त्र विभागातील प्राध्यापक ख्रिश्चन शॉनेनबर्गर यांच्या नेतृत्वाखालील संशोधकांनी हे कसे हाताळायचे याचा अभ्यास केला.यांत्रिक स्ट्रेचिंगद्वारे सामग्रीचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म.हे करण्यासाठी, त्यांनी एक फ्रेमवर्क विकसित केले ज्याद्वारे परमाणुदृष्ट्या पातळ ग्राफीन थर त्याच्या इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्मांचे मोजमाप करताना नियंत्रित पद्धतीने ताणले जाऊ शकते.
जेव्हा खालून दबाव आणला जातो तेव्हा घटक वाकतो.यामुळे एम्बेडेड ग्राफीन थर लांब होतो आणि त्याचे विद्युत गुणधर्म बदलतात.
शेल्फ वर सँडविच
शास्त्रज्ञांनी प्रथम बोरॉन नायट्राइडच्या दोन थरांमध्ये ग्राफीनचा थर असलेला “सँडविच” सँडविच तयार केला.इलेक्ट्रिकल संपर्कांसह प्रदान केलेले घटक लवचिक सब्सट्रेटवर लागू केले जातात.
इलेक्ट्रॉनिक स्थिती बदललीसंशोधकांनी प्रथम ग्राफीनचे स्ट्रेचिंग कॅलिब्रेट करण्यासाठी ऑप्टिकल पद्धती वापरल्या.त्यानंतर त्यांनी विजेचा वापर केला ग्राफीनच्या विकृतीमुळे इलेक्ट्रॉन ऊर्जा कशी बदलते याचा अभ्यास करण्यासाठी वाहतूक मोजमाप.या ऊर्जेतील बदल पाहण्यासाठी मापन उणे २६९ डिग्री सेल्सिअस तापमानात करणे आवश्यक आहे.
न्यूट्रल पॉईंट ऑफ चार्ज (CNP) वर अनस्ट्रेन्ड ग्राफीन आणि बी स्ट्रेन्ड (हिरव्या छायांकित) ग्राफीनचे उपकरण ऊर्जा पातळी आकृती. "न्युक्लीमधील अंतर थेट ग्राफीनमधील इलेक्ट्रॉनिक अवस्थांच्या वैशिष्ट्यांवर परिणाम करते," बॉमगार्टनरपरिणामांचा सारांश दिला."स्ट्रेचिंग एकसमान असल्यास, फक्त इलेक्ट्रॉनचा वेग आणि ऊर्जा बदलू शकते. मध्ये बदलऊर्जा ही मूलत: सिद्धांताद्वारे भाकीत केलेली स्केलर संभाव्यता आहे, आणि आम्ही आता हे सिद्ध करू शकलो आहोतप्रयोग." हे लक्षात घेण्यासारखे आहे की या परिणामांमुळे सेन्सर्स किंवा नवीन प्रकारचे ट्रान्झिस्टर विकसित होतील.याव्यतिरिक्त,ग्राफीन, इतर द्विमितीय सामग्रीसाठी मॉडेल प्रणाली म्हणून, जगभरातील संशोधनाचा एक महत्त्वाचा विषय बनला आहे.अलीकडील वर्षे.
पोस्ट वेळ: जुलै-02-2021