ग्राफीनमध्ये हेक्सागोनल जाळीमध्ये व्यवस्था केलेल्या कार्बन अणूंचा एकच थर असतो. ही सामग्री अतिशय लवचिक आहे आणि उत्कृष्ट इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म आहेत, जे बर्‍याच अनुप्रयोगांसाठी आकर्षक बनतात - विशेषत: इलेक्ट्रॉनिक घटक.
स्विस इन्स्टिट्यूट ऑफ नॅनोसायन्सचे प्रोफेसर ख्रिश्चन शॅननबर्गर यांच्या नेतृत्वात संशोधक आणि बेसल विद्यापीठाच्या भौतिकशास्त्र विभागाने कसे हाताळायचे याचा अभ्यास केलामेकॅनिकल स्ट्रेचिंगद्वारे सामग्रीचे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म.हे करण्यासाठी, त्यांनी एक फ्रेमवर्क विकसित केला ज्याद्वारे इलेक्ट्रॉनिक गुणधर्म मोजताना अणु पातळ ग्राफीन थर नियंत्रित पद्धतीने ताणला जाऊ शकतो.
जेव्हा खाली वरून दबाव लागू केला जातो तेव्हा घटक वाकेल. यामुळे एम्बेडेड ग्राफीन लेयरला त्याचे विद्युत गुणधर्म वाढविण्यास आणि बदलण्यास कारणीभूत ठरते.
शेल्फवर सँडविच
शास्त्रज्ञांनी प्रथम बोरॉन नायट्राइडच्या दोन थरांच्या दरम्यान ग्राफीनचा थर असलेला “सँडविच” सँडविच तयार केला. विद्युत संपर्कांसह प्रदान केलेले घटक लवचिक सब्सट्रेटवर लागू केले जातात.
इलेक्ट्रॉनिक राज्य बदललेग्राफीनच्या ताणून कॅलिब्रेट करण्यासाठी संशोधकांनी प्रथम ऑप्टिकल पद्धती वापरल्या. त्यानंतर त्यांनी विद्युत वापरला ग्राफीनचे विकृतीकरण इलेक्ट्रॉन उर्जा कशी बदलते याचा अभ्यास करण्यासाठी परिवहन मोजमाप. या उर्जा बदल पाहण्यासाठी मोजमाप वजा 269 डिग्री सेल्सिअस तापमानात करणे आवश्यक आहे.
तटस्थ बिंदू (सीएनपी) वर न थांबलेल्या ग्राफीन आणि बी ताणलेल्या (हिरव्या शेड) ग्राफीनचे डिव्हाइस उर्जा पातळीचे आकृत्या. "न्यूक्लीई दरम्यानचे अंतर थेट ग्राफीनमधील इलेक्ट्रॉनिक राज्यांच्या वैशिष्ट्यांवर परिणाम करते," बामगार्टनरनिकालांचा सारांश दिला. "जर स्ट्रेचिंग एकसमान असेल तर केवळ इलेक्ट्रॉन वेग आणि उर्जा बदलू शकते. बदलउर्जा ही मूलत: सिद्धांतानुसार अंदाजित केलेली स्केलर संभाव्य आहे आणि आम्ही आता हे सिद्ध करण्यास सक्षम आहोतप्रयोग. " हे समजण्यासारखे आहे की या परिणामांमुळे सेन्सर किंवा नवीन प्रकारच्या ट्रान्झिस्टरचा विकास होईल. याव्यतिरिक्त,ग्रॅफिन, इतर द्विमितीय सामग्रीसाठी मॉडेल सिस्टम म्हणून, जगभरात एक महत्त्वपूर्ण संशोधन विषय बनला आहेअलीकडील वर्षे.
पोस्ट वेळ: जुलै -02-2021
